Ten post odpowiada na pytanie „Jaka jest różnica między pamięcią flash NAND i NOR?”. Pamięć nieulotna to pamięć, która zachowuje swoją zawartość nawet bez zasilania. Pamięć nieulotna może być w różnych formach.
ROM – pamięć tylko do odczytu, dane zapisane raz, pozwala na wielokrotny dostęp do odczytu.
PROM – programowalna pamięć tylko do odczytu, dane zapisane raz (nie w procesie produkcji, ale kiedykolwiek później), pozwala na wielokrotny dostęp do odczytu.
EPROM – kasowalna programowalna pamięć tylko do odczytu, może być ponownie zaprogramowana po wymazaniu zawartości przez naświetlanie światłem ultrafioletowym.
EEPROM – elektrycznie kasowalna programowalna pamięć tylko do odczytu, może być kasowana impulsami napięciowymi. Może być ponownie zapisywana ograniczoną ilość razy. Ant przechowuje dane tylko przez określony czas.
Flash EEPROM – bardziej zaawansowana niż EEPROM i szybka. Pozwala na kasowanie i przechowywanie danych w blokach, ale nie w bajtach.
Pamięć flash jest obecnie bardzo popularna. Dwa najbardziej popularne typy to: NOR i NAND flash memory.
NOR i NAND flash memory różnią się architekturą i przeznaczeniem.
Pamięć NOR służy do przechowywania kodu i wykonania. Pozwala na szybki dostęp losowy do dowolnego miejsca w pamięci array.
Pamięć NAND jest używany do przechowywania danych. Wymaga stosunkowo długi dostęp losowy. Programowanie i kasowanie jest łatwiejsze niż w pamięci NAND. Koszt bitu pamięci NAND jest tańszy niż pamięci NOR.
Flash architektura pamięci oparta na technologii bramek pływających. W NOR pamięci flash każda komórka pamięci jest podłączony do pływającego bramy. W NAND pamięci flash, kilka komórek pamięci są połączone równolegle. (przedstawione poniżej).
NOR flash architecture.
NAND flash architecture.
NOR flash memory daje wystarczająco dużo linii adresowych do mapowania całego zakresu pamięci. To daje szybki dostęp losowy i krótki czas odczytu. Wadą jest niska prędkość programowania i kasowania, a jak tylko komórka pamięci NOR jest wystarczająco duża, to czyni go drogim.
NAN komórka pamięci jest mniejsza i kosztuje mniej, ma wyższą prędkość programowania / kasowania. Jednak ma niską prędkość odczytu i nie pozwala na losowy dostęp. Wykonanie kodu jest inny i nieco bardziej skomplikowane z pamięci NAND, że pamięć NOR.
Gęstość pamięci NAND jest znacznie wyższa niż gęstość pamięci flash NOR. NAND gęstość pamięci flash jest teraz do 512Gb dostępne, w tym samym czasie NOR pamięci flash jest tylko do 2Gb.
NAND i NOR struktura pamięci flash jest oparta na blokach kasowania. Mniejszy rozmiar bloku – szybsze kasowanie prędkość. Jednak mniejsze bloki są, tym większa ich ilość jest potrzebna i większy rozmiar die pamięci flash.
Pamięć NAND jest zwykle odczytywana z stron (wewnątrz struktury bloku) w celu zmniejszenia czasu odczytu. Zawartość strony jest odczytywany sekwencyjnie z adresem i cykli command.
Oba urządzenia pamięci flash powinny być wymazane przed reprogramming.
Dostęp do urządzeń pamięci NAND jest bardziej skomplikowane, wymaga sekwencji poleceń na 8-bitowej magistrali. Dane z pamięci NAND jest dostęp w stronach, jak wspomniano powyżej, około 528bytes długości. Pamięć NAND nie nadaje się do bootowania, ale świetnie sprawdza się jako dysk twardy.
Urządzenia flash NAND nie mają żadnych ruchomych części, są urządzeniami półprzewodnikowymi, w porównaniu z magnetycznym dyskiem twardym. To czyni je idealnymi do zastosowań wbudowanych.
Więcej treści edukacyjnych można uzyskać za pośrednictwem społeczności Reddit r/ElectronicsEasy.