Mémoire non volatile – Mémoire flash NOR et NAND

Ce post répond à la question « Quelle est la différence entre la mémoire flash NAND et NOR ? ». La mémoire non volatile est une mémoire qui conserve son contenu même non alimentée. La mémoire non volatile peut être sous différentes formes.

ROM – mémoire à lecture seule, les données sont écrites une fois, permet un accès multiple en lecture.

PROM – mémoire à lecture seule programmable, les données sont écrites une fois (pas au moment du processus de fabrication, mais n’importe quand plus tard), permet un accès multiple en lecture.

EPROM – mémoire morte programmable effaçable, elle peut être reprogrammée après avoir effacé le contenu par exposition à la lumière ultraviolette.

EEPROM – mémoire morte programmable effaçable électriquement, peut être effacée par des impulsions de tension. Elle peut être réécrite un nombre limité de fois. Ant elle stocke les données pour un temps limité seulement.

Flash EEPROM – plus avancée que l’EEPROM et rapide. Permet d’effacer et de stocker des données en blocs, mais pas en octets.

La mémoire flash est actuellement très populaire. Les deux types les plus populaires sont : La mémoire flash NOR et NAND.

Les mémoires flash NOR et NAND sont différentes par leur architecture et leur but.

La mémoire NOR est utilisée pour le stockage du code et de l’exécution. Permet un accès aléatoire rapide à n’importe quel emplacement de la matrice de mémoire.

La mémoire NAND est utilisée pour le stockage des données . Nécessite un accès aléatoire relativement long. La programmation et l’effacement sont plus faciles que dans la mémoire NAND. Le coût du bit de la mémoire NAND est moins cher que la mémoire NOR.

L’architecture de la mémoire flash est basée sur la technologie de la porte flottante. Dans la mémoire flash NOR, chaque cellule de mémoire est connectée à la porte flottante. Dans la mémoire flash NAND, plusieurs cellules de mémoire sont connectées en parallèle. (représenté ci-dessous).

Architecture flash NOR.

Architecture flash NAND.

La mémoire flash NOR donne suffisamment de lignes d’adresse pour cartographier toute la gamme de mémoire. Elle donne un accès aléatoire rapide et un temps de lecture court. L’inconvénient est la faible vitesse de programmation et d’effacement, et dès que la cellule de mémoire NOR est assez grande, cela la rend chère.

La cellule de mémoire NAN est plus petite et coûte moins cher, a une vitesse de programmation/effacement plus élevée. Cependant, elle a une faible vitesse de lecture et ne permet pas l’accès aléatoire. L’exécution du code est différente et un peu plus compliquée avec la mémoire NAND que la mémoire NOR.

La densité de la mémoire NAND est beaucoup plus élevée que la densité de la mémoire flash NOR. La densité de la mémoire flash NAND est maintenant jusqu’à 512Gb disponibles, dans le même temps la mémoire flash NOR est seulement jusqu’à 2Gb.

La structure de la mémoire flash NAND et NOR est basée sur des blocs d’effacement. Plus la taille du bloc est petite, plus la vitesse d’effacement est rapide. Cependant, plus les blocs sont petits, plus leur quantité est importante et plus la taille de la matrice de la mémoire flash est grande.

La mémoire NAND est généralement lue avec des pages (à l’intérieur de la structure de blocs) pour réduire le temps de lecture. Le contenu de la page est lu séquentiellement avec des cycles d’adresse et de commande.

Les deux dispositifs de mémoire flash doivent être effacés avant la reprogrammation.

L’accès aux dispositifs de mémoire NAND est plus compliqué, nécessitant une séquence de commandes sur le bus 8 bits. Les données de la mémoire NAND sont accédées par pages, comme mentionné ci-dessus, d’une longueur d’environ 528bytes. La mémoire NAND est inadaptée au démarrage, mais formidable comme disque dur.

Les dispositifs flash NAND n’ont pas de parties mobiles, ce sont des dispositifs à l’état solide, en comparaison avec le disque dur magnétique. Cela les rend parfaits pour les applications embarquées.

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