この記事は「NANDフラッシュメモリとNORフラッシュメモリの違いは何ですか」という質問に答えています。 不揮発性メモリとは、電源が入っていなくても内容が保持されるメモリのことです。
ROM – 読み取り専用メモリ、データは一度書き込まれ、複数の読み取りアクセスが可能。
PROM – プログラマブル読み取り専用メモリ、データは一度（製造時でなく、後で）書き込まれ、複数の読み取りアクセスが可能。
EPROM – erasable programmable read only memory, it can be reprogrammed after erasing the content by ultraviolet light exposure.
EEPROM – electrically erasable programmable read only memory, can be erased with voltage pulses.このメモリは消せるプログラマブル読み取り専用メモリ。 電圧パルスで消去でき、書き換え可能な回数に制限があります。
フラッシュ EEPROM – EEPROMより高度で高速。
フラッシュメモリ：EEPROMよりも高機能で高速。 最も人気のある2つのタイプがあります。
NORとNANDはアーキテクチャと用途が異なります。
NAND メモリは、データ保存に使用されます。 比較的長いランダムアクセスを必要とする。 プログラミングと消去はNANDメモリより簡単。 NANDメモリはNORメモリに比べてビット単価が安い。 NORフラッシュメモリでは、すべてのメモリセルがフローティングゲートに接続されている。 NAND型フラッシュメモリでは、複数のメモリセルが並列に接続されている。 (
NORフラッシュ・アーキテクチャ
NANDフラッシュ・アーキテクチャ すべてのメモリ領域をマッピングするのに十分なアドレスラインを備えています。 また、高速なランダムアクセスと短い読み取り時間を実現します。 NORフラッシュメモリは、アドレス線が十分にあり、全メモリ領域をマッピングできるため、ランダムアクセスが高速で、読み出し時間が短いのが特長ですが、書き込みや消去の速度が遅く、NORメモリセルが大きくなると高価になります。 しかし、読み出し速度が低く、ランダムアクセスができない。
NAND メモリの密度は NOR フラッシュメモリの密度よりはるかに高いです。 NANDフラッシュメモリは512ギガバイトまで、NORフラッシュメモリは2ギガバイトまでしか集積できません。 ブロックサイズが小さいほど、消去速度は速くなります。
NANDフラッシュ・メモリは、読み出し時間を短縮するために、通常、ページ単位（ブロック構造の内側）で読み出しを行います。
NAND メモリ・デバイスへのアクセスはより複雑で、8 ビット・バス上のコマンドのシーケンスが必要です。 NANDメモリのデータは、前述のように528バイト程度のページ単位でアクセスされます。 NANDメモリはブートには不向きですが、ハードディスクとしては最高です。
NANDフラッシュデバイスは可動部がなく、磁気ハードディスクと比較すると、ソリッドステートデバイスと言えます。
NAND フラッシュ デバイスは、磁気ハードディスクと比較して可動部がなく、固体デバイスであるため、組み込みアプリケーションに最適です。